où k est la constante de BOLTZMANN,Tla température, exprimée en KELVIN,Ula tension aux bornes de la diode, etIs le courant inverse de saturation. Si Eg est l'énergie du gap du matériau semi-conducteur qui a servi à fabriquer la diode, Is peut être décrit par la relation : IT KT E s kT g expŒ= 3 (2) Cette expression est valable dans le cas où kT E<